RQ3E100GNTB概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 10A Ta 2W Ta, 15W Tc Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT T/R
RQ3E100GNTB中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0089 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 15 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 4.3 ns
输入电容Ciss 420pF @15VVds
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
外形尺寸
封装 HSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RQ3E100GNTB引脚图与封装图 
在线购买RQ3E100GNTB
型号： RQ3E100GNTB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V