RSQ015P10TR

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RSQ015P10TR概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V

P-Channel 100V 1.5A Ta 600mW Ta Surface Mount TSMT6 SC-95


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RSQ015P10TR


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MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6


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晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V


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Trans MOSFET P-CH 100V 1.5A 6-Pin TSMT T/R


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Trans MOSFET P-CH Si 100V 1.5A 6-Pin TSMT T/R


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MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6


RSQ015P10TR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 950pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSQ015P10TR引脚图与封装图
RSQ015P10TR引脚图
RSQ015P10TR封装图
RSQ015P10TR封装焊盘图
在线购买RSQ015P10TR
型号: RSQ015P10TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V
替代型号RSQ015P10TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSQ015P10TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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RQ6P015SPTR

罗姆半导体

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RSQ015P10TR和RQ6P015SPTR的区别

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