RQ3E180GNTB概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 18A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 39 A, 0.0033 ohm, HSMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
安富利:
4.5V DRIVE NCH MOSFET, HSMT8, NCH, DISCRETE
RQ3E180GNTB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 6.9 ns
输入电容Ciss 1520pF @15VVds
下降时间 10.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
外形尺寸
封装 HSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
香港进出口证 NLR
RQ3E180GNTB引脚图与封装图 
在线购买RQ3E180GNTB
型号： RQ3E180GNTB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V