RRH050P03GZETB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 850pF @10VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 650mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RRH050P03GZETB
型号： RRH050P03GZETB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V
替代型号RRH050P03GZETB
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RRH050P03GZETB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RRH050P03TB1 罗姆半导体 | 类似代替 | RRH050P03GZETB和RRH050P03TB1的区别 |