R6004ENDTL

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R6004ENDTL概述

ROHM  R6004ENDTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新

N-Channel 600V 4A Tc 20W Tc Surface Mount CPT3


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R6004ENDTL


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MOSFET N-CH 600V 4A CPT3


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MOSFET 10V Drive Nch MOSFET


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 600V ±4A 3-Pin TO-252 T/R


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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab CPT T/R


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MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 / N-Channel 600 V 4A Tc 20W Tc Surface Mount CPT3


R6004ENDTL中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 58 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 5.8 mm

高度 2.5 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

R6004ENDTL引脚图与封装图
R6004ENDTL引脚图
R6004ENDTL封装图
R6004ENDTL封装焊盘图
在线购买R6004ENDTL
型号: R6004ENDTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  R6004ENDTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新

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