RMW180N03TB参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RMW180N03TB中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 1250pF @15VVds

额定功率Max 3 W

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RMW180N03TB

型号： RMW180N03TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：PSOP N-CH 30V 18A

替代型号RMW180N03TB

型号/品牌

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RMW180N03TB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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RS1E170GNTB

罗姆半导体

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