RDD050N20TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RDD050N20TL概述

CPT N-CH 200V 5A

表面贴装型 N 通道 5A（Ta） 20W（Tc） CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

贸泽:
MOSFET Nch; 20W; 200V; 5A

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

RDD050N20TL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 5A

输入电容Ciss 292pF @10VVds

额定功率Max 20 W

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RDD050N20TL引脚图与封装图

在线购买RDD050N20TL

型号： RDD050N20TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：CPT N-CH 200V 5A