RSD130P10TL

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RSD130P10TL概述

P 沟道 20 W 100 V 表面贴装 4 V 驱动 P 沟道 MOSFET - CPT-3

表面贴装型 P 通道 13A(Ta) 20W(Ta) CPT3


得捷:
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3


贸泽:
MOSFET Pch -100V -13A MOSFET


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab CPT T/R


富昌:
P 沟道 20 W 100 V 表面贴装 4 V 驱动 P 沟道 MOSFET - CPT-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 13A SOT428


RSD130P10TL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 100 V

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 20W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RSD130P10TL
型号: RSD130P10TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P 沟道 20 W 100 V 表面贴装 4 V 驱动 P 沟道 MOSFET - CPT-3

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