RSH070P05TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RSH070P05TB1概述

4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET

表面贴装型 P 通道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP

得捷:
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP

安富利:
Trans MOSFET P-CH 45V ±7A 8-Pin SOP T/R

DeviceMart:
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8

Win Source:
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8

RSH070P05TB1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 45 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 4100pF @10VVds

下降时间 50 ns

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSH070P05TB1引脚图与封装图

RSH070P05TB1引脚图

RSH070P05TB1封装图

RSH070P05TB1封装焊盘图

在线购买RSH070P05TB1

型号： RSH070P05TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET