RSJ400N06TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RSJ400N06TL概述

LPTS N-CH 60V 40A

* Low on-resistance. * High current * High power Package

得捷:
MOSFET N-CH 60V 40A LPTS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 40A LTPS

RSJ400N06TL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 2400pF @10VVds

下降时间 140 ns

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-83

外形尺寸

封装 SC-83

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSJ400N06TL引脚图与封装图

在线购买RSJ400N06TL

型号： RSJ400N06TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：LPTS N-CH 60V 40A