RSJ400N10TL

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RSJ400N10TL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 100V 40A Tc 1.35W Ta, 50W Tc Surface Mount LPTS


得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS


立创商城:
RSJ400N10TL


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.019 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS


RSJ400N10TL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.35 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

下降时间 250 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.35W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSJ400N10TL引脚图与封装图
RSJ400N10TL引脚图
RSJ400N10TL封装图
RSJ400N10TL封装焊盘图
在线购买RSJ400N10TL
型号: RSJ400N10TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V

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