晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.73 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 600V 8A Tc 50W Tc Surface Mount LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 8 A, 0.73 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.73 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 119 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 580pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
