RP1E050RPTR中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 58 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 850pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MPT-6
外形尺寸
封装 MPT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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