RCX080N25概述
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
N-Channel 250V 8A Tc 2.23W Ta, 35W Tc Through Hole TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 250V 8A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
RCX080N25中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.46 Ω
极性 N
耗散功率 2.23W Ta, 35W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 840pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.23W Ta, 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RCX080N25引脚图与封装图 
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