R6015ENJTL概述
ROHM R6015ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 15A Tc 40W Tc Surface Mount LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 150A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 150A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 150A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Newark:
# ROHM R6015ENJTL MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-263 New
R6015ENJTL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 184 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 910pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6015ENJTL引脚图与封装图 
在线购买R6015ENJTL
型号： R6015ENJTL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6015ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新