R6004ENX概述
ROHM R6004ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 4A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
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R6004ENX
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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
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# ROHM R6004ENX MOSFET, N-CH, 600V, 4A, TO-220FM New
R6004ENX中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6004ENX引脚图与封装图 
在线购买R6004ENX
型号： R6004ENX
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6004ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新