RSJ650N10TL

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RSJ650N10TL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 100V 65A Ta 100W Tc Surface Mount LPTS


得捷:
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS


贸泽:
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 65A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 65A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 65A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 65A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


RSJ650N10TL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 9.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 65A

上升时间 170 ns

输入电容Ciss 10780pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 480 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2018/01/15

数据手册

RSJ650N10TL引脚图与封装图
RSJ650N10TL引脚图
RSJ650N10TL封装图
RSJ650N10TL封装焊盘图
在线购买RSJ650N10TL
型号: RSJ650N10TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 2.5 V

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