10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
N-Channel 600V 8A Tc 50W Tc Through Hole TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
儒卓力:
**N-CH 600V 8A 950mOhm TO220FP **
通道数 1
漏源极电阻 950 mΩ
极性 N
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 580pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
最小包装 1000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
R6008FNX ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP8NM60D 意法半导体 | 功能相似 | R6008FNX和STP8NM60D的区别 |