RCJ081N20TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RCJ081N20TL概述

N沟道 200V 8A

N-Channel 200V 8A Tc 1.56W Ta, 40W Tc Surface Mount LPTS

立创商城:
N沟道 200V 8A

得捷:
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 8A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R

RCJ081N20TL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.56W Ta, 40W Tc

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.56W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： RCJ081N20TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：N沟道 200V 8A