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MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
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ROHM Si N沟道 MOSFET R6020ENX, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
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**N-CH 600V 20A 200mOhm TO220FP-3 **
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MOSFET N-CH 600V 20A TO220
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
下降时间 67 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.3 mm
宽度 4.8 mm
高度 15.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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R6020ENX ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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