RCJ120N20TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RCJ120N20TL概述

N沟道 200V 12A

N-Channel 200V 12A Tc 1.56W Ta, 40W Tc Surface Mount LPTS

立创商城:
N沟道 200V 12A

得捷:
MOSFET N-CH 200V 12A LPTS

贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 12A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 12A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 12A Automotive 3-Pin2+Tab LPTS T/R

RCJ120N20TL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 52 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 740pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.56W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RCJ120N20TL引脚图与封装图

在线购买RCJ120N20TL

型号： RCJ120N20TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：N沟道 200V 12A