R6020ANZC8概述
TO-3pF N-CH 600V 20A
通孔 N 通道 600 V 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V ±20A 3-Pin TO-3PF Bulk
Chip1Stop:
MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk
R6020ANZC8中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 120 W
阈值电压 2.95 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 2040pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6020ANZC8引脚图与封装图 
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