R6004ENJTL概述
ROHM R6004ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 4A Tc 40W Tc Surface Mount LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Newark:
# ROHM R6004ENJTL MOSFET, N-CH, 600V, 4A, TO-263 New
R6004ENJTL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 58 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6004ENJTL引脚图与封装图 
在线购买R6004ENJTL
型号： R6004ENJTL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6004ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新