R6007ENX概述
ROHM R6007ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 7A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Newark:
# ROHM R6007ENX MOSFET, N-CH, 600V, 7A, TO-220FM New
R6007ENX中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.57 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 46 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 390pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6007ENX引脚图与封装图 
在线购买R6007ENX
型号： R6007ENX
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6007ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V 新