R6007ENJTL

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R6007ENJTL概述

ROHM  R6007ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V 新

N-Channel 600V 7A Tc 40W Tc Surface Mount LPTS


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N沟道 600V 7A


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MOSFET N-CH 600V 7A LPTS


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R6007ENJTL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.57 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 78 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 390pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

R6007ENJTL引脚图与封装图
R6007ENJTL引脚图
R6007ENJTL封装图
R6007ENJTL封装焊盘图
在线购买R6007ENJTL
型号: R6007ENJTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  R6007ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V 新

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