晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 0.55 ohm, 10 V, 5.25 V
N-Channel 200V 8A Tc 2.23W Ta, 40W Tc Through Hole TO-220FM
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MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
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N沟道 200V 8A
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Win Source:
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 550 mΩ
极性 N
耗散功率 40 W
阈值电压 3.25 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.23W Ta, 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
