R8008ANX

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R8008ANX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 800V 8A Ta 50W Tc Through Hole TO-220FM


得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM


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N沟道 800V 8A


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-220FM, 通孔


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Trans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


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MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM


R8008ANX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.79 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 66 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1080pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R8008ANX引脚图与封装图
R8008ANX引脚图
R8008ANX封装图
R8008ANX封装焊盘图
在线购买R8008ANX
型号: R8008ANX
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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