10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
N-Channel 800V 8A Ta 50W Tc Through Hole TO-220FM
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MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
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N沟道 800V 8A
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MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
针脚数 3
漏源极电阻 0.79 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free