R5021ANX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R5021ANX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 500V 21A Tc 50W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220

R5021ANX中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 21A

输入电容Ciss 2300pF @25VVds

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R5021ANX引脚图与封装图

在线购买R5021ANX

型号： R5021ANX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET