10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
N-Channel 600V 12A Tc 50W Tc Through Hole TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
儒卓力:
**N-CH 600V 12A 510mOhm TO220FP **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
