R8010ANX

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R8010ANX概述

TO-220FM N 800V 10A 0.43Ω

N-Channel 800V 10A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM


得捷:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM


贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V ±10A 3-Pin TO-220FM Bulk


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A Bulk


R8010ANX中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.43 Ω

极性 N

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 1750pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 15.4 mm

宽度 10.3 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R8010ANX引脚图与封装图
R8010ANX引脚图
R8010ANX封装图
R8010ANX封装焊盘图
在线购买R8010ANX
型号: R8010ANX
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TO-220FM N 800V 10A 0.43Ω

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