R5009FNX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R5009FNX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 500V 9A Tc 50W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM

安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM

R5009FNX中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.65 Ω

极性 N

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 630pF @25VVds

下降时间 40 ns

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R5009FNX引脚图与封装图

在线购买R5009FNX

型号： R5009FNX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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替代型号R5009FNX

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R5009FNX ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
FQPF9N50CYDTU 飞兆/仙童	功能相似	R5009FNX和FQPF9N50CYDTU的区别

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