RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR图片1
RW1A025APT2CR图片2
RW1A025APT2CR图片3
RW1A025APT2CR图片4
RW1A025APT2CR图片5
RW1A025APT2CR图片6
RW1A025APT2CR图片7
RW1A025APT2CR图片8
RW1A025APT2CR图片9
RW1A025APT2CR概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V

-12V, -2.5A, 0.18 ohms @ -1.5V


立创商城:
RW1A025APT2CR


得捷:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6


贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-563T, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2.5A 6-Pin WEMT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V ±2.5A 6-Pin SOT-563T T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2.5A 6-Pin WEMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6


RW1A025APT2CR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 700 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 2000pF @6VVds

额定功率Max 400 mW

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.65 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RW1A025APT2CR引脚图与封装图
RW1A025APT2CR引脚图
RW1A025APT2CR封装图
RW1A025APT2CR封装焊盘图
在线购买RW1A025APT2CR
型号: RW1A025APT2CR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台