RP1E090RPTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

RP1E090RPTR概述

MPT P-CH 30V 9A

表面贴装型 P 通道 30 V 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6

得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 6-Pin MPT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 6-Pin MPT T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 6-Pin MPT T/R

RP1E090RPTR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 3000pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MPT-6

外形尺寸

封装 MPT-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： RP1E090RPTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MPT P-CH 30V 9A