RCJ200N20TL

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RCJ200N20TL中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 1.56 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.56W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RCJ200N20TL引脚图与封装图
RCJ200N20TL引脚图
RCJ200N20TL封装图
RCJ200N20TL封装焊盘图
在线购买RCJ200N20TL
型号: RCJ200N20TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:LPTS N-CH 200V 20A

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