ROHM R6020ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 20A Tc 40W Tc Surface Mount LPTS
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MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
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N沟道 600V 20A
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Trans MOSFET N-CH 600V ±20A 3-Pin TO-263 T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
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# ROHM R6020ENJTL MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-263 New
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 231 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
下降时间 67 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
