RQ1E100XNTR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RQ1E100XNTR概述

MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 10A

N-Channel 30V 10A Ta 550mW Ta Surface Mount TSMT8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSMT T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSMT T/R

RQ1E100XNTR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 550mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1000pF @10VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 550mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSMT-8

外形尺寸

封装 TSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RQ1E100XNTR

型号： RQ1E100XNTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 10A