RCD050N20TL概述
CPT N-CH 200V 5A
表面贴装型 N 通道 200 V 5A（Ta） 20W（Tc） CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
贸泽:
MOSFET
RCD050N20TL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 380pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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