RSQ030P03TR

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RSQ030P03TR概述

P 通道 30 V 80 mΩ 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6

P-Channel 30V 3A Ta 1.25W Ta Surface Mount TSMT6 SC-95


得捷:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 6-Pin TSMT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin TSMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6


RSQ030P03TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -30.0 A

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 440pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RSQ030P03TR
型号: RSQ030P03TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P 通道 30 V 80 mΩ 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
替代型号RSQ030P03TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSQ030P03TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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安森美

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