RSD131P10TL

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RSD131P10TL概述

CPT P-CH 100V 13A

P-Channel 100V 13A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab CPT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


儒卓力:
**P-CH 100V 13A 200mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3


RSD131P10TL中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 0.85 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买RSD131P10TL
型号: RSD131P10TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT P-CH 100V 13A

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