RSD221N06TL

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RSD221N06TL概述

CPT N-CH 60V 22A

N-Channel 60V 22A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3


贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3


RSD221N06TL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 0.85 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1500pF @10VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RSD221N06TL
型号: RSD221N06TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT N-CH 60V 22A

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