RSS040P03FU6TB

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RSS040P03FU6TB概述

P-沟道 2 W -30 V 106 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - SOIC-8

表面贴装型 P 通道 30 V 4A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP


得捷:
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP


富昌:
P-沟道 2 W -30 V 106 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - SOIC-8


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC


RSS040P03FU6TB中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

输入电容Ciss 800pF @10VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RSS040P03FU6TB
型号: RSS040P03FU6TB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P-沟道 2 W -30 V 106 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - SOIC-8

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