P-沟道 2 W -30 V 106 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - SOIC-8
表面贴装型 P 通道 30 V 4A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
得捷: MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
富昌: P-沟道 2 W -30 V 106 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - SOIC-8
Win Source: MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
极性 P-Channel
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电容Ciss 800pF @10VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册