





P沟道,-12V,±4A,22mΩ@-4.5V
表面贴装型 P 通道 2.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
立创商城:
P沟道 20V 2.5A
贸泽:
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 580pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RTQ025P02TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
NTUD3169CZT5G 安森美 | 功能相似 | RTQ025P02TR和NTUD3169CZT5G的区别 |
NTUD3170NZT5G 安森美 | 功能相似 | RTQ025P02TR和NTUD3170NZT5G的区别 |
NTGS5120PT1G 安森美 | 功能相似 | RTQ025P02TR和NTGS5120PT1G的区别 |