RTQ025P02TR

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RTQ025P02TR概述

P沟道,-12V,±4A,22mΩ@-4.5V

表面贴装型 P 通道 2.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)


得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6


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P沟道 20V 2.5A


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MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6


RTQ025P02TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -2.50 A

通道数 1

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 580pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买RTQ025P02TR
型号: RTQ025P02TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P沟道,-12V,±4A,22mΩ@-4.5V
替代型号RTQ025P02TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RTQ025P02TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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