RQ1A070APTR

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RQ1A070APTR概述

RQ1A070APTR 编带

P-Channel 12V 7A Ta 550mW Ta Surface Mount TSMT8


得捷:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8


立创商城:
P沟道 12V 7A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 7A 8-Pin TSMT T/R


安富利:
TRANS MOSFET P-CH 12V 7A 8-PIN TSMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 7A 8-Pin TSMT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 7A Automotive 8-Pin TSMT T/R


RQ1A070APTR中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 135 ns

输入电容Ciss 7800pF @6VVds

额定功率Max 550 mW

下降时间 260 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 550mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RQ1A070APTR
型号: RQ1A070APTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:RQ1A070APTR 编带

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