RDD020N60TL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RDD020N60TL概述

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3Pin2+Tab CPT T/R

N-Channel 600V 2A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

贸泽:
MOSFET MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

RDD020N60TL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 14 ns

下降时间 53 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买RDD020N60TL

型号： RDD020N60TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3Pin2+Tab CPT T/R