RCD060N25TL概述
CPT N-CH 250V 6A
N-Channel 250V 6A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
贸泽:
MOSFET N-Channel Mosfet 250V, 6A, 10V gate drive
安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 6A 3-Pin2+Tab CPT T/R
RCD060N25TL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 52 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 840pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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