晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 60V 8A Ta 15W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 8A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 8A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
针脚数 3
漏源极电阻 0.057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 15 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 380pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 15W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RSD080N06TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RD3L080SNTL1 罗姆半导体 | 完全替代 | RSD080N06TL和RD3L080SNTL1的区别 |
TK8S06K3L 东芝 | 功能相似 | RSD080N06TL和TK8S06K3L的区别 |