RRH090P03TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RRH090P03TB1概述

P沟道 30V 9A

表面贴装型 P 通道 30 V 9A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP

得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

立创商城:
P沟道 30V 9A

贸泽:
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 9A 8PIN

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9A T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

RRH090P03TB1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 3000pF @10VVds

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 650mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RRH090P03TB1

型号： RRH090P03TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：P沟道 30V 9A