RW1C020UNT2R概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.075 ohm, 4.5 V, 1 V
表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
得捷:
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
贸泽:
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-563T, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin WEMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin WEMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin WEMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
RW1C020UNT2R中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 180pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RW1C020UNT2R
型号： RW1C020UNT2R
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.075 ohm, 4.5 V, 1 V