RCD100N20TL概述
CPT N-CH 200V 10A
表面贴装型 N 通道 200 V 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
贸泽:
MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 10A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 10A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 10A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 10A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
RCD100N20TL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 85 W
阈值电压 3.25 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RCD100N20TL