RUE002N05TL

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RUE002N05TL概述

EMT N-CH 50V 0.2A

· Low voltage1.2V drive type · Nch Small-signal MOSFET · Small Surface Mount Package · Pb Free/RoHS Compliant


得捷:
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3


贸泽:
MOSFET TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R


富昌:
RUC002N05 Series 50 V ± 200 mA 2.2 Ohm N-Channel Mosfet - SC-75A EMT3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3


RUE002N05TL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.15 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 25pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RUE002N05TL
型号: RUE002N05TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:EMT N-CH 50V 0.2A
替代型号RUE002N05TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RUE002N05TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RUM002N05T2L

罗姆半导体

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RUC002N05T116

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RUU002N05T106

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