








EMT N-CH 50V 0.2A
· Low voltage1.2V drive type · Nch Small-signal MOSFET · Small Surface Mount Package · Pb Free/RoHS Compliant
得捷:
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
贸泽:
MOSFET TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R
富昌:
RUC002N05 Series 50 V ± 200 mA 2.2 Ohm N-Channel Mosfet - SC-75A EMT3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin EMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RUE002N05TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RUM002N05T2L 罗姆半导体 | 功能相似 | RUE002N05TL和RUM002N05T2L的区别 |
RUC002N05T116 罗姆半导体 | 功能相似 | RUE002N05TL和RUC002N05T116的区别 |
RUU002N05T106 罗姆半导体 | 功能相似 | RUE002N05TL和RUU002N05T106的区别 |